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NTMD5838NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
D = 0.5
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SINGLE PULSE
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0.01
0.1
1
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1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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NTMD6N02R2
功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N02R2/D
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts
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制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
NTMD6N02R2G
功能描述:MOSFET NFET 20V 0.035R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N03R2
功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N03R2G
功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8